MOSFET/场效应管 SI2312 产品型号:SI2312 产品封装:SOT-23 产品品牌:浩畅 是否环保:无铅环保 较小包装:3000PCS N沟道增强型功率MOSFET 漏较-源较电压(VDS):20V 漏较电流(ID):4.5A 漏源电流脉冲IDM:13.5A 栅源电压(VGS): ±12V 结温(TJ):150℃ 储存温度(TSTG):-55~150℃ 耗散功率(PD):1.25W 栅源较开启电压VGS(th):0.5 ~ 1.2V 栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA 质量方针 本公司为了追求卓越,将致力于: ★全员参与 鼓励和要求全体员工持续的创新质量价值 ★持续改善 持续改善我们的制程,产品和服务 ★满足顾客 倾听顾客的心声,达到顾客的要求 环境及职业健康安全方针 以人为本,综合治理,全面**健康安全 节能降耗,清洁生产,预防和控制环境污染 诚信守法,持续改进,同创安全绿色“浩畅” 深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外着名半导体厂家的晶圆芯片,OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。主营贴片二、三极管系列,高、低压MOS系列,电源管理IC(AC-DC/DC-DC), LDO低压差线性稳压器,三端稳压IC,基准源IC,LED驱动IC,降压、升压IC,电压检测,运算放大器,电压比较器,时基电路,功放电路,可控硅,整流桥等系列产品。